Micron rakiplerinin aksine 4F² DRAM üretiminden vazgeçti
Öne çıkanlar
- Micron, 20 yılı aşkın süredir geliştirdiği 4F² DRAM hücre tasarımını yüksek maliyet nedeniyle rafa kaldırdı.
- Samsung, SK hynix ve CXMT, 4F² mimarisine sahip bellek üretim planlarını sürdürüyor.
- Şirket, 6F² teknolojisini ölçeklemeye devam ederek doğrudan katmanlı 3D DRAM üretimine geçişi hedefliyor.
ABD merkezli bellek üreticisi Micron, rakipleri Samsung, SK hynix ve CXMT bu alana yatırım yapmayı sürdürürken 4F² DRAM tasarımını ticarileştirmeme kararı aldı. Şirket, çarşamba günü düzenlediği web seminerinde gelecek yol haritasını paylaştı ve bu mimariyi atlayacağını duyurdu. Rakiplerden CXMT bu yıl sonuna kadar 4F² sunucu DDR5 modüllerini pazara sunmayı planlarken, Micron bu geçişi maliyet ve verimlilik gerekçeleriyle reddetti.
Micron Teknoloji Şefi Scott DeBoer, DRAM yoğunluğunu belirleyen asıl unsurun nominal hücre boyutu değil kapasitörler arasındaki mesafe olduğunu açıkladı. Hücre geometrisini 6F² standardından 4F² seviyesine düşürmenin kağıt üzerinde avantajlı göründüğünü belirten DeBoer, bu adımın gerçekte kayda değer bir yoğunluk kazandırmadığını aktardı. DeBoer, teknolojiyi yirmi yılı aşkın süredir ticarileştirmeye çalıştıklarını ancak yüksek maliyet ve karmaşıklık nedeniyle vazgeçtiklerini bildirdi.
Şirket, yol haritasında mevcut 6F² mimarisini 1-delta ve 1-epsilon düğümleriyle ölçeklemeye devam edeceğini, ardından zeta-Angstrom ve eta-Angstrom hedeflerine odaklanacağını kaydetti. Düzlemsel DRAM sınırlarına ulaşıldığında ise asıl hedefin doğrudan dikey katmanlı 3D DRAM teknolojisi olduğunu duyurdu. Micron, rakiplerinin 4F² için harcadığı sermayeyi atlayarak kaynaklarını doğrudan yeni nesil 3D DRAM çalışmalarına aktarmayı amaçlıyor.
Bu özet yapay zekâ ile hazırlanmıştır; ayrıntılar ve doğrulama için orijinal kaynağa başvurun.