Diamond Foundry elmas yarı iletkenlerle çalışan transistör geliştirdi
Öne çıkanlar
- Yeni elmas transistörler geleneksel modellere göre 50 kat daha hızlı anahtarlama hızı sunuyor.
- Aygıtların alt eşik salınımı performansı 3 nanometre silisyum işlemcilerle eşleşti.
- Yüzey transfer katkılama yöntemi, kristal yapıya zarar vermeden p tipi iletkenlik sağladı.
Diamond Foundry, Stanford Üniversitesi ortaklığıyla elmas yarı iletken kullanan yeni nesil MOSFET transistörler geliştirdiğini duyurdu. Şirket, silisyum tabanlı geleneksel yongalara kıyasla 50 kat daha hızlı anahtarlama hızına ulaştığını açıkladı. Geliştirilen yeni aygıtların alt eşik salınımı performansında güncel 3 nanometre silisyum yongalarla aynı seviyeye geldiği bildirildi.
Yayımlanan teknik ayrıntılara göre bu başarı, yüzey transfer katkılama yöntemiyle sağlandı. Tek kristal elmas plakanın yüzeyi tek atom kalınlığında hidrojen tabakasıyla kaplanarak negatif elektron ilgisi elde edildi. Bu yöntem, elmasın kristal yapısına yabancı atom yerleştirmeden yüzeyde iki boyutlu bir delik gazı oluşturarak p tipi iletkenlik kazandırıyor.
Geleneksel katkılama süreçlerindeki iyon implantasyonuna ihtiyaç duymayan mimari, kristal kafes hasarlarını ve taşıyıcı saçılmalarını önlüyor. Bu sayede elmasın doğal saflığı, yüksek termal iletkenliği ve yüksek kırılma gerilimi korunuyor. Teknoloji özellikle yüksek güç, yüksek frekans ve radyasyona dayanıklı elektronik sistemler için yeni bir zemin sunuyor.
Bu özet yapay zekâ ile hazırlanmıştır; ayrıntılar ve doğrulama için orijinal kaynağa başvurun.