Samsung bellek içi işlem yapan yeni LPDDR5X-PIM mimarisini tanıttı
Öne çıkanlar
- Samsung, her bir DRAM bankasına yerleştirdiği PIM bloklarıyla 614 GB/s dahili bant genişliği sağladı.
- Yonga başına 2,4 TOPS hesaplama gücü sunan mimari, standart bellek denetleyicileriyle çalışıyor.
- PIM işlemlerinin yan etkileri nedeniyle bellek alanlarının önbelleğe alınamaz olarak işaretlenmesi gerekiyor.
Samsung, Hot Chips 2026 etkinliğinde bellek yongası üzerinde doğrudan hesaplama yapabilen yeni LPDDR5X-PIM teknolojisini duyurdu. Şirket, standart bellek denetleyicileriyle uyumluluğu koruyarak her bir DRAM bankasına yerleştirdiği MAC (Çarpma ve Biriktirme) birimleriyle yapay zeka işlemlerini bellek içinde hızlandırmayı hedefliyor.
Yeni mimari, standart LPDDR5X-9600 yongalarındaki 16 bankanın her birine özel PIM blokları ekliyor. Bu bloklar, harici veri yolunun yarattığı darboğazı aşarak tüm bankalar üzerinden toplamda 614 GB/s dahili bant genişliğine ulaşıyor. Standart DRAM erişiminde ise azami 76,8 GB/s seviyesine çıkılabiliyor. Düşük duyarlıklı INT8, FP8 ve INT4 veri formatlarını destekleyen yapı, yonga başına 2,4 TOPS hesaplama gücü sunuyor.
Mimari donanım uyumluluğu sağlasa da yazılım tarafında çeşitli zorlukları beraberinde getiriyor. PIM komutlarının standart okuma ve yazma işlemlerinin anlamını değiştirmesi nedeniyle önbellek tutarlılığı, spekülatif yürütme ve çoklu görev yönetimi gibi işletim sistemi işlevlerinin yeniden yapılandırılması gerekiyor.
Bu özet yapay zekâ ile hazırlanmıştır; ayrıntılar ve doğrulama için orijinal kaynağa başvurun.