Samsung HBM taban yongasında 4nm mantık sürecine geçiyor
Öne çıkanlar
- Samsung, HBM4 ve HBM4E taban yongalarını 4nm mantık sürecinde üretiyor.
- Bellek denetleyicisinin taban yongasına taşınmasıyla standart arayüz alanı küçülüyor.
- zHBM konsepti bellek yığınlarını doğrudan hesaplama yongasının üstüne yerleştirmeyi hedefliyor.
Samsung, Hot Chips 2026 etkinliğinde HBM4 ve HBM4E bellekleri için geliştirdiği yeni mimari planlarını tanıttı. Şirket, geleneksel DRAM üretim süreci yerine 4nm mantık sürecine geçiş yaparak taban yongasında ortaya çıkan boş alanları değerlendirmeyi hedefliyor. Taban yongasının boyutunun üzerindeki DRAM yığınlarına bağlı olması nedeniyle küçültülemeyen bu alan, üç aşamalı bir yol haritasıyla yeni işlevlerle doldurulacak.
İlk aşamada bellek denetleyicisinin doğrudan taban yongasına taşınması ve SRAM tabanlı hücre onarım mekanizmalarının entegre edilmesi planlanıyor. Bu tasarım, standart arayüzlerin kapladığı fiziksel alanı daraltarak ana işlemci ile daha sıkı bir die-to-die bağlantı kurulmasını sağlıyor. İkinci aşamada sıcaklık ve voltaj izleme sensörleri, yerleşik test blokları, harici bellek genişletme arayüzleri ve bellek içi işleme birimleri yer alıyor.
Üçüncü ve en kapsamlı aşamada ise HBM yığınlarının doğrudan hesaplama yongasının üzerine dikey olarak konumlandırıldığı zHBM mimarisi inceleniyor. Bu yaklaşım arayüz alanını ve güç tüketimini azaltırken, katmanlı yapının yaratacağı termal sınırların aşılmasını gerektiriyor.
Bu özet yapay zekâ ile hazırlanmıştır; ayrıntılar ve doğrulama için orijinal kaynağa başvurun.