Transistörün icadı genellikle 1948'de Bell Labs'taki araştırmacılara atfedilse de, ilk alan etkili transistör (FET) patenti 22 Ekim 1925'te Polonyalı profesör Julius Edgar Lilienfeld tarafından alınmıştır. Lilienfeld, 1928'de metal oksit yarı iletken FET (MOSFET) patentini de almıştır. Makale, Lilienfeld'in tasarımlarının işlevsel olduğunu ve günümüzdeki milyarlarca transistörün büyük çoğunluğunun aslında Lilienfeld tipi FET'ler olduğunu vurgulamaktadır. 1934'te Alman mühendis Oskar Heil de başka bir FET varyantının patentini almıştır.
Bell Labs'taki araştırmacılar, Lilienfeld'in patentlerinde açıklanan alan etkisini deneysel olarak doğrulamış olsalar da, kendi yayınlarında Lilienfeld veya Heil'in önceki çalışmalarından bahsetmemişlerdir. Hatta 1948'de Bell Labs'ın çeşitli patent başvuruları, Lilienfeld ve Heil'in çok daha önceki tasarımlarına benzerlikleri nedeniyle reddedilmiştir. Lilienfeld'in tasarımlarının o dönemde çalışmadığı iddia edilse de, Bret Crawford'ın 1991 tarihli tezi ve Joel Ross'un 1995'teki replikasyon çalışmaları bu iddiaların yanlış olduğunu ve Lilienfeld'in cihazlarının aylarca stabil kaldığını göstermiştir.
1948'de Bell Labs tarafından patenti alınan nokta temaslı transistör (PCT) ve Alman fizikçiler Mataré ve Welker tarafından patenti alınan transistron (JFET) ilk ticari transistörler olsa da, PCT'nin "hiçbir zaman pratik olmadığı" ve "sadece bir sapma" olduğu belirtilmiştir. Günümüzde kullanılan transistörlerin neredeyse tamamı Lilienfeld tipi FET'lerdir, özellikle de Mısırlı mühendis Mohamed M. Atalla ve Koreli mühendis Dawon Kahng tarafından 1960'ta Bell Labs'ta patenti alınan MOSFET varyantları. Bu durum, transistörün gerçek mucidinin kim olduğu ve teknoloji tarihindeki patent savaşlarının karmaşıklığı hakkında önemli bir perspektif sunmaktadır.
Transistörün gerçek mucidinin yaygın olarak bilinenin aksine çok daha önce bir Polonyalı profesör olduğu ve günümüz teknolojisinin temelini oluşturan cihazların kökenlerinin yanlış atfedildiği ortaya konuyor.